Infineon JANTX2N6764
$ 27.265
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 27.265
$ 25.02
Stock
13,561
24,858
Authorized Distributors
2
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-3
TO-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
100 V
Continuous Drain Current (ID)
38 A
38 A
Threshold Voltage
-
2 V
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
150 W
150 W
Input Capacitance
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon JANTX2N6764, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package, TO-204AE-2
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
Single N-Channel 100 V 0.055 Ohm 125 nC 150 W SMT Hexfet Transistor TO-3
38 A 100 V 0.065 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-204
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
MountThrough Hole
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance100 mΩ
Power Dissipation150 W
Schedule B8541290080
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen