Infineon IRF350
$ 26.265
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRF350 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 26.265
$ 29.275
Stock
8,266
21,258
Authorized Distributors
3
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-3
TO-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
400 V
Continuous Drain Current (ID)
14 A
14 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
150 W
150 W
Input Capacitance
-
-
Verwandte Teile
InfineonJANTX2N6768
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
InfineonJANTX2N6770
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF350, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans Mosfet N-Ch 400V 14A 3-Pin(2+Tab) To-3. Note :rohs Non-Compliant Rohs Compliant: No
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package, TO-204AE-2
Infineon SCT
N CHANNEL MOSFET, 400V, 14A, TO-204AA
HEXFET, Hi-Rel 400V, 14A, 0.300 ohm
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
MountThrough Hole
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight12 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Dual Supply Voltage400 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance300 mΩ
Power Dissipation150 W
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time170 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height7.74 mm
Lead Pitch11 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen