onsemi IRFP150A
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-06-06
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi IRFP150A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 100 V 40 mOhm 97 nC Through Hole Advanced Power Mosfet - TO-3P
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Rail
N-CH/100V/40A/0.04OHM/Substitute of IRFP150 & IRFP150N
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Af 100V 40Mohm To3Pn Rohs Compliant: Yes
100V 43A 40m´Î@10V21.5A 193W 4V@250uA 185pF@25V 1.75nF@25V 75nC@10V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-3P MOSFETs ROHS
PFET, 43A I(D), 100V, 0.04OHM, 1
IRFP150A.,3LD PLAS EXPOSED HEA T SINK <AZ
193W(Tc) 4V@ 250µA 97nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 40mΩ@ 21.5A,10V 43A 2.27nF@25V TO-3PN Through hole mounting 18.9mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)43 A
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.27 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation193 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation193 W
Rds On Max40 mΩ
Resistance40 MΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen