Infineon IRF250
$ 24.885
Production
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3-Monats-Trend: -100%
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF250, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
MOSFET, N, TO-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):85mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:30A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRF250; Fixing Centres:30mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:11mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-3; Power Dissipation Pd:150W; Power Dissipation Pd:150W; Pulse Current Idm:120A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
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Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
MountThrough Hole
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage200 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance100 mΩ
Power Dissipation150 W
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time170 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height7.74 mm
Lead Pitch11 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen