Infineon IRF140
$ 18.01
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF140 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF140, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:28A; On Resistance Rds(On):0.089Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Product Range:- Rohs Compliant: No
MOSFET, N, TO-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:27A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):85mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Id Max:28A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRF140; Fixing Centres:30mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:11mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-3; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Pulse Current Idm:108A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
MountThrough Hole
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance89 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
On-State Resistance100 mΩ
Power Dissipation125 W
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Dimensions
Lead Pitch11 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF140 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen