Infineon IRF150
$ 25.02
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Price @ 1000
$ 25.02
$ 27.265
Stock
24,858
13,561
Authorized Distributors
1
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-3
TO-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Continuous Drain Current (ID)
38 A
38 A
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
150 W
150 W
Input Capacitance
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF150, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package, TO-204AE-2
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
N Channel Mosfet, 100V, 38A, To-3
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
MountThrough Hole
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance100 mΩ
Power Dissipation150 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time170 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height7.74 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen