Infineon SPB17N80C3ATMA1
$ 1.901
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SPB17N80C3ATMA1 | 17 000 | 1K | 1d | ||||||||
| Newark | SPB17N80C3ATMA1 | 2 523 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SPB17N80C3ATMA1 | 2 000 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | SPB17N80C3ATMA1 | 14 000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | TMOSP8687 | 2 000 | 1K | 5h |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +49.15%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon SPB17N80C3ATMA1.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon SPB17N80C3ATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | Télécharger | |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-02-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySIHB6N65E-GE3
Single N-Channel 700 V 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
STMicroelectronicsSTB34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK package
InfineonSPB20N60C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonSPB21N50C3ATMA1
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
InfineonIPB90R340C3ATMA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO-263 / Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTB27NM60ND
N-channel 600 V, 0.13 Ohm, 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK
Descriptions
Descriptions de Infineon SPB17N80C3ATMA1 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17 A, 290 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
Single N-Channel 800 V 290 mOhm 88 nC CoolMOS® Power Mosfet - D2PAK
227W 20V 3.9V 88nC@ 10V 1N 800V 290m¦¸@ 10V 17A 2.3nF@ 100V D2PAK , 10mm*9.25mm*4.4mm
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):290mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:227W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:17A; Package / Case:TO-263; Power Dissipation Pd:227W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:800V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
800V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting; Solar
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +49.15%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Current Rating17 A
Drain to Source Resistance290 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage800 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance290 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation227 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon SPB17N80C3ATMA1.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité