STMicroelectronics STB27NM60ND
$ 4.543
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STB27NM60ND | 36 | 2 | |||||||||
| Arrow Electronics | STB27NM60ND | 36 | 1 | |||||||||
| Farnell | STB27NM60ND | 0 | 5 | Cut Tape | 9h | |||||||
| Mouser | 511-STB27NM60ND | 84 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | STB27NM60ND | 235 | 600 | 1d |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-04-25
LTD Date2019-10-25
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB28NM60ND
N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK package
VishaySIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK / N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
STMicroelectronicsSTB28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB27NM60ND fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.13 Ohm, 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Low input capacitance and gate charge | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Mosfet, Aec-Q101, 21A, 600V, To-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.13Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB27NM60ND
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation160 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time60 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant