STMicroelectronics STB34NM60N
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIPB60R099CPATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonIPB60R165CPATMA1
Infineon CoolMOS CP N-Ch MOSFET Vds=650V Id=21A D2PAK (TO-263) SMD 3-Pin
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB34NM60N fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK package
N-Ch MOSFET 600V 29A 250W(Tc) 4V@250µA 84nC@10V 105mΩ@14.5A,10V 2.722nF@100V D2PAK/TO-263 SMD
STMICROELECTRONICS STB34NM60N Power MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
STB34NM60N N-channel MOSFET Transistor, 29 A, 600 V, 2+Tab-Pin TO-263
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Low gate input resistance | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 31.5A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:210W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31.5 A
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.722 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Rds On Max105 mΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time106 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant