STMicroelectronics STB19NM65N
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm typ., 17 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB23NM50N
N-channel 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, D2PAK MDmesh(TM) II Power MOSFET
STMicroelectronicsSTB24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
VishaySIHB15N60E-GE3
Vishay NChannelMOSTube, Vds=600 V, 15 A, D2PAK （TO-263）encapsulation, surface mount
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB19NM65N fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
TDK CGA5L4X7R2J333K160AA SMD Multilayer Ceramic Capacitor, 1206 [3216 Metric], 0.033 F, 630 V,10%, X7R, CGA Series
MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance270 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.9 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-55 °C
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation150 W
Rds On Max270 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time25 ns