Infineon SPB20N60C3ATMA1
$ 1.597
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SPB20N60C3ATMA1 | 1 000 | 1K | 1d | ||||||||
| Newark | SPB20N60C3ATMA1 | 3 773 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SPB20N60C3ATMA1 | 1 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | SPB20N60C3ATMA1 | 1 000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | TMOSP6321 | 8 000 | 1K | 13h |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +2.82%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon SPB20N60C3ATMA1.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon SPB20N60C3ATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Pièces détachées
InfineonSPB21N50C3ATMA1
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
STMicroelectronicsSTB27NM60ND
N-channel 600 V, 0.13 Ohm, 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK
InfineonIPB65R150CFDAATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
STMicroelectronicsSTB28NM60ND
N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB26NM60ND
N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK package
Descriptions
Descriptions de Infineon SPB20N60C3ATMA1 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
208KW 30V 3.9V 87nC@ 10V 1N 650V 190m¦¸@ 10V 20A 2.4nF@ 25V D2PAK , 10mm*925cm*4.4mm
COOL MOS POWER TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Replacement for 600V CoolMOS C3 is 600V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
MOSFET, N, COOLMOS, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20.7A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):190mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:208W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:20.7A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:208W; Power Dissipation Pd:208W; Pulse Current Idm:62.1A; SMD Marking:20N60C3; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3.9V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +2.82%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)20.7 A
Current20 A
Current Rating20.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Dual Supply Voltage650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
On-State Resistance190 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation208 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time67 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage600 V
Voltage Rating (DC)650 V
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon SPB20N60C3ATMA1.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité