Infineon IPB60R099CPATMA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
$ 3.512
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPB60R099CPATMA11 3591Cut Tape
Future Electronics
2
IPB60R099CPATMA11 0001KTape & Reel
RutronikTMOSP77741 0001K
5h
DigiKey
3
IPB60R099CPATMA1CT-ND2 5191Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPB60R099CPATMA11031

Fiches techniques et documents

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Newark

Datasheet10 pagesIl y a 15 ans

IHS

element14 APAC

iiiC

TME

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPB60R099CPATMA1
InfineonIPB60R099CPAATMA1
Price @ 1000
$ 3.512
$ 3.87
Stock
734,841
298,754
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
31 A
31 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
105 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
255 W
255 W
Input Capacitance
-
2.8 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-16
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

InfineonIPB60R125CPATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
InfineonIPB60R165CPATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
InfineonIPB60R160C6ATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
STMicroelectronicsSTB34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK package
Détails
VishaySIHB6N65E-GE3
Single N-Channel 700 V 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Détails
VishaySIHB22N65E-GE3
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB60R099CPATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
EBV Elektronik
255KW 20V 60nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 2.8nF@ 100V D2PAK , 10mm*925cm*4.5mm
Unikeyic (ICkey)
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
Infineon
MOSFET, N, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):99mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:255W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:31A; Package / Case:TO-263; Power Dissipation Pd:255W; Pulse Current Idm:93A; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Images

Augswan
element14 APAC
TME
RS
Farnell
Future Electronics
Rochester Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB60R099CP
  • IPB60R099CPATMA1.
  • SP000088490