Infineon IPB60R125CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
$ 2.64
EOL
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIPB60R125CPATMA13 3311
Rochester ElectronicsIPB60R125CPATMA117 000
1d
DigiKey
3
IPB60R125CPATMA1CT-ND1 1631Cut Tape
AvnetIPB60R125CPATMA101K
6d
FarnellIPB60R125CPATMA13 3311
14h

Fiches techniques et documents

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Datasheet10 pagesIl y a 19 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-06
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Pièces détachées

InfineonIPB60R099CPATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Détails
InfineonIPB60R165CPATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
InfineonIPB60R160C6ATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
STMicroelectronicsSTB34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK package
Détails
STMicroelectronicsSTB28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
Détails
VishaySIHB22N65E-GE3
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB60R125CPATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Verical
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
Infineon
MOSFET, N, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):125mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:208W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:TO-263; Power Dissipation Pd:208W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Images

Farnell
TME
Farnell
UTSource
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB60R125CP
  • SP000297368