Infineon IPB60R099CPAATMA1

N-Channel 600 V 0.105 Ohm CoolMOS® Power Transistor-PG-TO263-3-2
$ 3.868
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIPB60R099CPAATMA12741Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPB60R099CPAATMA17371
Rochester ElectronicsIPB60R099CPAATMA1751
10h
DigiKey
2
448-IPB60R099CPAATMA1CT-ND1291Cut Tape
AvnetIPB60R099CPAATMA101K
12h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 17 ans

Newark

Farnell

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPB60R099CPAATMA1
InfineonIPB60R099CPATMA1
Price @ 1000
$ 3.868
$ 3.51
Stock
306,767
634,475
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
31 A
31 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
105 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
255 W
255 W
Input Capacitance
2.8 nF
-

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Pièces détachées

VishaySIHB33N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Détails
VishaySIHB33N60EF-GE3
600V 33A 98m´Î@10V16.5A 278W 4V@250Ã×A N Channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS
Détails
InfineonIPB65R099C6ATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
STMicroelectronicsSTB40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Détails
VishaySIHB28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK / N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Détails
STMicroelectronicsSTB42N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB60R099CPAATMA1 fournies par ses distributeurs.

N-Channel 600 V 0.105 Ohm CoolMOS® Power Transistor-PG-TO263-3-2
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
COOLMOS POWER TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):99mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:255W; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:31A; Package / Case:TO-263; Power Dissipation Pd:255W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
Summary of Features: Worldwide best R ds,on in TO220; Ultra low gate charge; Extreme dv/dt rated; High peak current capability; Automotive AEC Q101 qualified; Green package (RoHS compliant); CoolMOS CPA is specially designed for:; DC/DC converters for Automotive Application
Infineon

Images

RS
RS APAC
Newark
Future Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB60R099CPA
  • SP000315443