Infineon BSC010NE2LSIATMA1

2.5KW 20V 2V 59NC 1N 25V 1.05M¦¸@ 10V 100A 4.2NF@ 12V Tdson(ep) , 5.15MM*590CM*1MM
$ 0.788
NRND
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
BSC010NE2LSIATMA120 0005K
15h
Newark
2
BSC010NE2LSIATMA16 6361Cut Tape
Rochester ElectronicsBSC010NE2LSIATMA17 182
13h
DigiKey
3
BSC010NE2LSIATMA1CT-ND9 1711Cut Tape
Arrow Electronics
2
BSC010NE2LSIATMA115 3001

Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonBSC010NE2LSIATMA1
InfineonBSC010NE2LSATMA1
Price @ 1000
$ 0.788
$ 0.75
Stock
2,828,250
1,927,230
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
38 A
40 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
96 W
2.5 W
Input Capacitance
4.2 nF
4.7 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-14
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

InfineonBSC050NE2LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 58 A, 0.0042 ohm, TDSON, Surface Mount
Détails
InfineonBSC009NE2LSATMA1
2.5W 20V 2.2V 72nC@ 4.5V,126nC@ 10V 1N 25V 900¦Ì¦¸@ 10V 5.8nF@ 12V , 5.15mm*5.9mm*1mm
Détails
onsemiFDMS7570S
2.5W(Ta),83W(Tc) 20V 3V@1mA 69nC@ 10V 1N 25V 1.95m¦¸@ 28A,10V 28A,49A 4.515nF@13V QFN 6mm*5mm*1.1mm
Détails
onsemiNTD4865NT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 8.5A Ta 44A Tc 44A 1.92W 19ns
Détails
InfineonBSC014NE2LSIATMA1
Trans MOSFET N-CH 25V 33A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Détails
onsemiFDMS7560S
N-Channel 25 V 30 A 0.00145 ohm SMT PowerTrench SyncFET Mosfet Power 56
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC010NE2LSIATMA1 fournies par ses distributeurs.

2.5KW 20V 2V 59nC 1N 25V 1.05m¦¸@ 10V 100A 4.2nF@ 12V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
Unikeyic (ICkey)
Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
MOSFETs; BSC010NE2LSI; INFINEON TECHNOLOGIES; 25 V; 38 A; 20 V; 96 W
Maritex
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 25V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:96W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC010NE2LSIATMA1.
Newark

Images

TME
element14 APAC
Augswan
TME
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC010NE2LSI
  • BSC010NE2LSIATMA1.
  • BSC010NE2LSIATMA1.......
  • BSC010NE2LSIXT
  • SP000854376