Infineon BSC014NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 33A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
$ 0.66
EOL
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
BSC014NE2LSIATMA11 5195Cut Tape
Future Electronics
2
BSC014NE2LSIATMA15 0005KTape & Reel
Rochester ElectronicsBSC014NE2LSIATMA13 128
6h
DigiKey
3
BSC014NE2LSIATMA1CT-ND6 1511Cut Tape
Arrow ElectronicsBSC014NE2LSIATMA119 7304

Fiches techniques et documents

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Datasheet10 pagesIl y a 13 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Pièces détachées

InfineonBSC050NE2LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 58 A, 0.0042 ohm, TDSON, Surface Mount
Détails
InfineonBSC010NE2LSIATMA1
2.5KW 20V 2V 59nC 1N 25V 1.05m¦¸@ 10V 100A 4.2nF@ 12V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
Détails
InfineonBSC009NE2LSATMA1
2.5W 20V 2.2V 72nC@ 4.5V,126nC@ 10V 1N 25V 900¦Ì¦¸@ 10V 5.8nF@ 12V , 5.15mm*5.9mm*1mm
Détails
onsemiFDMS7560S
N-Channel 25 V 30 A 0.00145 ohm SMT PowerTrench SyncFET Mosfet Power 56
Détails
onsemiFDMS3600S
Asymmetric Dual N-Channel MOSFET PowerTrench® Power Stage, 25V
Détails
onsemiFDMS7558S
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin Power 56 T/R
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC014NE2LSIATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 25V 33A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
2.5W 20V 39nC 1N 25V 1.4m¦¸@ 10V 2.7nF@ 12V , 5.15mm*5.9mm*1mm
UnikeyIC
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 25V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
BSC014NE2LSI Infineon Technologies
YIC International
BSC014NE2 - 12V-300V N-CHANNEL P
DigiKey Marketplace
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Po
element14 APAC

Images

Augswan
TME
Newark
LZChips
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC014NE2LSI
  • BSC014NE2LSIXT
  • SP000911336