Infineon BSC050NE2LSATMA1

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 58 A, 0.0042 ohm, TDSON, Surface Mount
$ 0.273
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
47Y7994811
19h
NewarkBSC050NE2LSATMA1811Cut Tape
Arrow Electronics
2
BSC050NE2LSATMA13 8601
Rochester ElectronicsBSC050NE2LSATMA13 905
17h
DigiKey
3
BSC050NE2LSATMA1CT-ND17 8661Cut Tape

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet10 pagesIl y a 13 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

onsemiFDMS7560S
N-Channel 25 V 30 A 0.00145 ohm SMT PowerTrench SyncFET Mosfet Power 56
Détails
onsemiFDMS8670S
N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFET 30V, 42A, 3.5mΩ
Détails
onsemiFDMS7676
Single N-Channel 30 V 2.5 W 44 nC Silicon Surface Mount Mosfet - POWER 56-8
Détails
InfineonBSZ100N03MSGATMA1
2.1W 16V 1V 8.3nC@ 4.5V,17nC@ 10V 1N 30V 9.1m¦¸@ 10V 40A 1.3nF@ 15V SON , 3.3mm*3.3mm*1.1mm
Détails
InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
Détails
InfineonIRFHM830TRPBF
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC050NE2LSATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 58 A, 0.0042 ohm, TDSON, Surface Mount
Avnet
MOSFET, N CH, 25V, 58A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:58A; Source Voltage Vds:25V; On Resistance
element14 APAC
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
MOSFET, N CH, 25V, 58A, TDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 58A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.0042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 28W; Transistor Case Style: TDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell

Images

element14 APAC
TME
Augswan
RS
TME
LZChips
RS

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC050NE2LS
  • BSC050NE2LSATMA1.
  • BSC050NE2LSXT
  • SP000756340