Infineon BSC010NE2LSATMA1

Name: Infineon BSC010NE2LSATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC010NE2LSATMA1

Transistor, Mosfet, N-channel, 25V, 39A, 1.0 Mohm, 242A, 33 Nc, TSDSON8

$ 0.75

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	47Y7990	8 213	1		2,020	1,290	0,866	0,866	0,866	12h
Newark	2	BSC010NE2LSATMA1	8 213	1	Cut Tape	0,797	0,797	0,797	0,797	0,797
RS (Formerly Allied Electronics)		BSC010NE2LS	10	1	Bulk	0,340	0,340	0,340	0,340	0,340	23h
Arrow Electronics	3	BSC010NE2LSATMA1	30	1		0,479	0,471	0,463	0,463	0,463
Future Electronics	2	BSC010NE2LSATMA1	0	5K	Tape & Reel					0,970

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InfineonBSC010NE2LSATMA1

InfineonBSC010NE2LSIATMA1

Price @ 1000

$ 0.75

$ 0.769

Stock

1,882,219

2,825,886

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

Drain to Source Voltage (Vdss)

25 V

Continuous Drain Current (ID)

40 A

38 A

Threshold Voltage

Rds On Max

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2.5 W

96 W

Input Capacitance

4.7 nF

4.2 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-02-24

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

onsemiFDMS7556S

Trans MOSFET N-CH 25V 35A 8-Pin Power 56 T/R

Détails

InfineonIRFR1205PBF

Single N-Channel 55 V 0.027 Ohm 65 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Détails

InfineonIRFR3806PBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 12.6 Milliohms;ID 43A;D-Pak;PD 71W;VGS +/-20

Détails

InfineonIRFR3806TRPBF

Single N-Channel 60 V 15.8 mOhm 30 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Détails

onsemiFDD13AN06A0

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 13mΩ

Détails

STMicroelectronicsSTD40NF03LT4

N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC010NE2LSATMA1 fournies par ses distributeurs.

TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 25V, 39A, 1.0 MOHM, 242A, 33 NC, TSDSON8

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 25V 39A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Win Source

Single N-Channel 25 V 96 W 85 nC OptiMOS Surface Mount Mosfet - TDSON-8

Future Electronics

With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).

Infineon

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:96W; No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: Yes

Newark

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

BSC010NE2LS
BSC010NE2LSATMA1.
SP000776124

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Spécifications techniques

Physical

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Technical

Continuous Drain Current (ID)40 A

Drain to Source Breakdown Voltage25 V

Drain to Source Resistance1.3 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)25 V

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance4.7 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation96 W

Min Breakdown Voltage25 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance1 mΩ

Package Quantity5000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation2.5 W

Rise Time6 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time34 ns

Turn-On Delay Time6.7 ns

Dimensions

Height1.1 mm

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A