STMicroelectronics STGWT60H65FB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
$ 1.62
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STMicroelectronics

Datasheet16 SeitenVor 13 Jahren

Future Electronics

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Alternative Teile

Price @ 1000
$ 1.62
$ 2.206
Stock
114,483
112,405
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
-
TO-247-3
Collector Emitter Breakdown Voltage
650 V
650 V
Max Collector Current
80 A
80 A
Power Dissipation
-
375 W
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
Reverse Recovery Time
-
-

Lieferkette

Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-08-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N=-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
IGBT 650V 80A 238W TO-3PN / Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGWT60H65FB, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
STGWT60H65FB, IGBT Transistor, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Igbt |Stmicroelectronics STGWT60H65FB
TO3P IGBT 60A @100C 600V TRENC
375W 1.6V 650V 80A TO-3P 15.8mm*5mm*20.1mm

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics