Infineon IGW50N65F5FKSA1
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$ 3.304
Stock
171,585
62,939
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-247
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
650 V
-
Max Collector Current
80 A
80 A
Power Dissipation
305 W
270 W
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1 V
2.1 V
Reverse Recovery Time
-
-
Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IGW50N65F5FKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
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Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation305 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation305 W
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen