STMicroelectronics STGW60H65DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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IGBT 650V 80A 283W TO247 / IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 283 W Through Hole TO-247-3
Trans IGBT Chip N=-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
NGTB Series 650 V 60 A Flange Mount Trench Field Stop IGBT - TO-247

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGW60H65DFB, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247-3; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pin
Igbt, Single, 650V, 80A, To-247; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:375W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGW60H65DFB

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics