STMicroelectronics STGWT40H65DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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NewarkSTGWT40H65DFB2891
VericalSTGWT40H65DFB2193
Arrow ElectronicsSTGWT40H65DFB210210
TME
2
STGWT40H65DFB391
5h
AvnetSTGWT40H65DFB0600
9h

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STMicroelectronics

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Future Electronics

Newark

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Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGWT40H65DFB, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
STMicroelectronics
STGWT40 Series 650 V 80 A Through Hole Silicon IGBT - TO-3P
Future Electronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Verical
STGWT40H65DFB, IGBT Transistor, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P
RS (Formerly Allied Electronics)
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IHS
晶体管, IGBT, 650V, 80A, 175度 C, 283W;
element14 APAC
IGBT, 650V, 80A, 175DEG C, 283W;
Farnell
TO3P IGBT 40A @100C 600V TRENC
Anglia
283W 1.6V 650V 80A TO-3P 23.4mm
Unikeyic (ICkey)
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-3P; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:283W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

Augswan
Farnell
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Lanka Micro
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics