STMicroelectronics STGWT40H65FB

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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IHS

Datasheet21 SeitenVor 9 Jahren

STMicroelectronics

Future Electronics

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Verwandte Teile

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGWT40H65FB, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
STGWT40H65FB, IGBT Transistor, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
283W 1.6V 650V 80A TO-3P 15.6mm*4.8mm*18.7mm
TO3P IGBT 40A @100C 600V TRENC

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics