onsemi HUF75321D3S
$ 0.469
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonAUIRLR3105
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUF75321D3S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
PWR MOS ULTRAFET 55V/20A/0.036OHMS N-CHANNEL TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:20A; On Resistance, Rds(on):36mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time66 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance680 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation93 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation93 W
Rds On Max36 mΩ
Rise Time55 ns
Turn-Off Delay Time47 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Datenblätter und Dokumente
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