onsemi HUFA75321D3ST
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiHUF75321D3S
20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
onsemiHUFA76423D3ST
85W(Tc) 3V@ 250µA 34nC@ 10V 1individualNChannel 60V 32mΩ@ 20A,10V 1.06pF@25V TO-252AA SMD mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA75321D3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel UltraFET® Power MOSFET 55V, 20A, 36mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
93W(Tc) 4V@ 250µA 44nC@ 20V 1individualNChannel 55V 36mΩ@ 20A,10V 680pF@25V TO-252AA SMD mount
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -2.73%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time66 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance680 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation93 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation93 W
Rds On Max36 mΩ
Rise Time55 ns
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen