Infineon AUIRLR3105
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-01-31
LTD Date2021-07-31
Verwandte Teile
InfineonIRLR2705TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 28A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W;-55de
InfineonIRFR5505GTRPBF
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -18A, 110 MOHM, 21.3 NC QG, D-PAK, HALOGEN-FREE
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRLR3105, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
MOSFET, N-CH, 55V, 25A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:57W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance per silicon area, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: Advanced Planar Technology; Logic-Level Gate Drive; Dynamic dv/dt Rating; Low On-Resistance; 175C Operating Temperature; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax; Lead-Free, RoHS Compliant; Automotive Qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance710 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity3000
Power Dissipation57 W
Rds On Max37 mΩ
Rise Time57 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen