Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQB17N08TM herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-09-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB17N08TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs 80V N-Channel QFET Logic Level
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.5 A
Current Rating16.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance115 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance450 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max115 mΩ
Rise Time60 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time4.8 ns
Voltage Rating (DC)80 V
Datenblätter und Dokumente
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