Infineon IPB147N03LGATMA1
$ 0.309
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-07-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB147N03LGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
20 A 30 V 0.0217 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
IPB147N03 OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET;
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0217ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance21.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation31 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation31 W
Rds On Max14.7 mΩ
Rise Time2.4 ns
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time3.1 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen