Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FQB13N06LTM | 569 | 11h | |||||||||
| Microchip USA | FQB13N06LTM | 322 | 3500 | Tray | 4h | |||||||
| Worldway Electronics | FQB13N06LTM | 29.251 | 7 | Tape & Reel | 11h | |||||||
| Fly-Wing Technology | FQB13N06LTM | 2.209 | 1d | |||||||||
| Vigor Components | FQB13N06LTM | 10 | 1d |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB13N06LTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 5SSOP
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.6 A
Current Rating13.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max110 mΩ
Rise Time90 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Datenblätter und Dokumente
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