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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB6N25TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 250V N-Channel QFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Current Rating5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance300 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max1 Ω
Rise Time65 ns
Turn-Off Delay Time7.5 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Datenblätter und Dokumente
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