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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB2P25TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 250V 2.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
P-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 250V P-Channel QFET
3.13W(Ta)，52W(Tc) 30V 5V@ 250µA 8.5nC@ 10 V 1individualPChannel 250V 4Ω@ 1.15A,10V 2.3A 250pF@25V TO-263 SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Current Rating-2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-250 V
Drain to Source Resistance4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max4 Ω
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Voltage Rating (DC)-250 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen