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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-08-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Verwandte Teile
InfineonSPB10N10L G
N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
InfineonIPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
onsemiHUF76633S3S
38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB7N10TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.3 A
Current Rating7.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance350 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max350 mΩ
Rise Time24 ns
Turn-Off Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen