onsemi FQB9N08TM
$ 0.37
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQB9N08TM herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-09-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB9N08TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK / N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 80V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 80V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.3 A
Current Rating9.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max210 mΩ
Rise Time28 ns
Turn-Off Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)80 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQB9N08TM herunter.