Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-09-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Verwandte Teile
InfineonSPB10N10L G
N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
InfineonIPB45N06S4-09
60V, N-Ch, 9.1 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB9N08TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK / N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
3.75W(Ta)，40W(Tc) 4V@ 250µA 7.7nC@ 10V 1individualNChannel 80V 210mΩ@ 4.65A,10V 250pF@25V D2PAK SMD mount
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 80V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.3 A
Current Rating9.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max210 mΩ
Rise Time28 ns
Turn-Off Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)80 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen