Infineon SPW32N50C3FKSA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R099C6FKSA1
278W 20V 2.5V 127nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 38A 2.78nF@ 100V TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm
STMicroelectronicsSTW43NM60ND
N-channel 600 V, 0.075 Ohm, 35 A, TO-247 FDmesh(TM) Power MOSFET (with fast diode)
InfineonIPW65R095C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Through Hole
InfineonIPW60R099C6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 37.9 A, 99 Milliohms, TO-247, 3 Pins, Through Hole
VishaySIHG33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC / Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPW32N50C3FKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AA
Replacement for 500V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7.500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.
MOSFET, N, COOLMOS, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:560V; On Resistance Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:284W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 25°C:32A; Current Id Max:32A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:284W; Power Dissipation Pd:284W; Power Dissipation Ptot Max:284W; Pulse Current Idm:96A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:560V; Voltage Vds Typ:560V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3.9V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating32 A
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.2 nF
Max Dual Supply Voltage500 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation284 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance110 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation284 W
Rds On Max110 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)560 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen