Infineon IPW65R095C7XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
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N-channel 650 V, 0.09 Ohm, 28 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 / N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
STMicroelectronicsSTW35N65M5
N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPW65R095C7XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 24A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.084ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V;
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Resistance95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.14 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance95 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation128 W
Rds On Max95 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen