Infineon SPW35N60C3FKSA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-05-10
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTWA45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
InfineonSPW24N60C3FKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
VishaySIHS36N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 36A, SUPER-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
VishaySIHG33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC / Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPW35N60C3FKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 34.6A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AA
MOSFET, N, 600V, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34.6A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:313W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:34.6A; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:313W; Power Dissipation Pd:313W; Pulse Current Idm:103.8A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:650V; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Replacement for 600V CoolMOS C3 is 600V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)34.6 A
Current Rating34.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation313 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance100 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation313 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)650 V
Dimensions
Height21.1 mm
Length16.13 mm
Width5.21 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen