STMicroelectronics STW47NM60ND
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-02-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-04-25
LTD Date2019-10-25
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW48NM60N
N-channel 600 V, 0.055 Ohm typ., 44 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW43NM60ND
N-channel 600 V, 0.075 Ohm, 35 A, TO-247 FDmesh(TM) Power MOSFET (with fast diode)
STMicroelectronicsSTW57N65M5
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R080CFDAFKSA1
Power MOSFET, AEC-Q101, N Channel, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Through Hole
InfineonIPW60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 / N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW47NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 35A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Automotive-grade N-channel 600 V, 0.075 Ohm typ., 35 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-247 package
35 A 600 V 0.088 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-247
MOSFET N-Ch 600V 0.075 Ohm 35A FDmesh II
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance88 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance4.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation255 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation255 W
Rds On Max88 mΩ
Resistance88 MΩ
Rise Time40 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant