Infineon IPW65R099C6FKSA1
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N-channel 550 V, 0.06 Ohm, 33 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPW65R099C6FKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
278W 20V 2.5V 127nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 38A 2.78nF@ 100V TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Ch, 650V, 38A, To-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:38A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.089Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPW65R099C6FKSA1
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.600V CoolMOS™ C6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3650V CoolMOS™ C6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.78 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation278 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance99 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation278 W
Rds On Max99 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time77 ns
Turn-On Delay Time10.6 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen