Infineon IRLL3303TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 0.031 Ohm; Id 4.6A; SOT-223; Pd 1W; Vgs +/-16V
$ 0.56
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRLL3303TRPBF020Bulk
10h
Farnell
2
IRLL3303TRPBF01Cut Tape
4h
Win SourceWS-IRLL3303TRPBF2020
18h
Worldway ElectronicsIRLL3303TRPBF18.3287Tape & Reel
1d
GreenTree ElectronicsIRLL3303TRPBF260
4d

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet10 SeitenVor 22 Jahren

IHS

Farnell

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRLL3303PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V
Details
InfineonIRLL2703TRPBF
Single N-Channel 30 V 0.06 Ohm 9.3 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
Details
Diodes Inc.DMN3032LE-13
N-Channel 30 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
Details
STMicroelectronicsSTN4NF03L
N-Channel 30V - 0.039 Ohm - 4A - SOT-223 STripFET(TM) POWER MOSFET
Details
onsemiNDT452AP
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -5A, 65mΩ
Details
onsemiNDT451AN
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 7.2A, 35mΩ
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLL3303TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 30 V 0.045 Ohm 50 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223-3
Future Electronics
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET, N-CH 30V, 4.6A, 31mOHM, 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 2.5k Pb free
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Semicontronic
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:4.6A; On Resistance, Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V; Package/Case:223-SOT; Power Dissipation, Pd:2.1W ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Infineon
Farnell
Farnell
RS
element14
TME
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRLL3303TRPBF
  • IRLL3303TRPBF.
  • SP001567242