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Alternative Teile

Dieser Teil

Alternative Teile

STMicroelectronicsSTN4NF03L

onsemiFDT457N

Price @ 1000

$ 0.377

$ 0.419

Stock

2,206,395

491,249

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-223

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

850 mV

Continuous Drain Current (ID)

6.5 A

5 A

Threshold Voltage

1 V

1.6 V

Rds On Max

50 mΩ

60 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

20 V

Power Dissipation

3.3 W

3 W

Input Capacitance

330 pF

235 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STN4NF03L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel 30V - 0.039 Ohm - 4A - SOT-223 STripFET(TM) POWER MOSFET

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 / Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Win Source

30V 6.5A 50m´Î@10V2A 3.3W 1V@250Ã×A N Channel SOT-223 MOSFETs ROHS

Dasenic

Power MOSFET Transistors N-Ch 30 Volt 6.5 Amp

Mouser

MOSFETs; STN4NF03L; STMICROELECTRONICS; 30 V; 4 A; 16 V; 3.3 W

Maritex

Power MOSFETs, 30V, 4A, SOT-223, Tape and Reel

STMicroelectronics SCT

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube STripFETseries, Vds=30 V, 6.5 A, SOT-223encapsulation, surface mount, 3Pin

UnikeyIC

MOSFET, N, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -48.68%

CAD-Modelle

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Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-223

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins4

Number of Terminals4

Weight4.535924 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.5 A

Current Rating6.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance60 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time22 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)16 V

Input Capacitance330 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.5 W

Manufacturer Package IdentifierSOT-223-P008

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation3.3 W

Rds On Max50 mΩ

Resistance50 mΩ

Rise Time100 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage1 V

Turn-Off Delay Time35 ns

Turn-On Delay Time11 ns

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height1.8 mm

Length6.5 mm

Width3.5 mm