onsemi NDT452AP

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -5A, 65mΩ
$ 0.417
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NDT452AP herunter.

Farnell

Datasheet7 SeitenVor 28 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 17 Jahren

Upverter

IHS

element14 APAC

Newark

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+47.30%

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi NDT452AP Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
3DHerunterladen
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1996-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

onsemiNDT454P
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -5.9A, 50mΩ
onsemiFDT457N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
onsemiFDT459N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 6.5A, 35mΩ
STMicroelectronicsSTN4NF03L
N-Channel 30V - 0.039 Ohm - 4A - SOT-223 STripFET(TM) POWER MOSFET
Diodes Inc.DMN3032LE-13
N-Channel 30 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDT452AP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -5A, 65mΩ
Power SOT P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and DC motor control.
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -5 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 100 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 40 / Rise Time ns = 30 / Turn-OFF Delay Time ns = 50 / Turn-ON Delay Time ns = 20 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 1.1

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • NDT452AP.