Infineon IRLL2703TRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLL2703TRPBF | 0 | 2500 | Bulk | 14h | |||||||
| Farnell | IRLL2703TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 7h | |||||||
| Microchip USA | IRLL2703 | 316 | 600 | Tube | 1d | |||||||
| Component Stockers USA | IRLL2703TRPBF | 340 | 3d | |||||||||
| Win Source | WS-IRLL2703 | 10.000 | 18 | 22h |
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Verwandte Teile
InfineonIRLL3303PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V
InfineonIRLL3303TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLL2703TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 0.06 Ohm 9.3 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
MOSFET, 30V, 5.5A, 45 MOHM, 9.3 NC QG, LOGIC LEVEL, SOT-223
Trans MOSFET N-CH Si 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:3.9A; On Resistance, Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.9 A
Current Rating3.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Forward Voltage1 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance530 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance45 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max45 mΩ
Resistance60 mΩ
Rise Time24 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time6.9 ns
Turn-On Delay Time7.4 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.4478 mm
Length6.6802 mm
Width3.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen