onsemi NDT451AN

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 7.2A, 35mΩ
$ 0.49
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NDT451AN herunter.

Farnell

Datasheet8 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

IHS

Upverter

Future Electronics

onsemi

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+20.70%

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi NDT451AN Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2021-12-24
LTD Date2021-12-24
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

onsemiFDT459N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 6.5A, 35mΩ
onsemiFDT457N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V
onsemiNDT452AP
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -5A, 65mΩ
Diodes Inc.DMN3032LE-13
N-Channel 30 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
Single N-Channel 30 V 0.06 Ohm 9.3 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDT451AN, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 7.2A, 35mΩ
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.2A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Power Dissipation Pd: 3W
Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • NDT451AN.