Diodes Inc. DMN3032LE-13
$ 0.258
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN3032LE-13 | 4.619 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN3032LE-13 | 525.000 | 1037 | |||||||||
| DigiKey | DMN3032LE-13DICT-ND | 95.515 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN3032LE-13 | 666 | 1 | 16h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN3032LE-13 | 0 | 20 | Bulk | 9h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLL3303TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V
Diodes Inc.ZXMP6A17GTA
MOSFET, P CH, W/DIO, 60V, 3A, SOT223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN3032LE-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 30 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
Trans MOSFET N-CH 30V 5.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Mosfet, N-Ch, 30V, 15.4A, Sot-223 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3032LE-13
MOSFET N-Ch 30V 5.6A Enhanc. SOT223
MOSFETs 30V 6.50 x 3.50mm SMT SOT223 5.6A N-Channel
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 15.4 A, SOT-223, , 3
MOSFET, N-CH, 30V, 15.4A, SOT-223;
MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.6 A
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance498 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max29 mΩ
Rise Time3.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time2.3 ns
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.55 mm
Width3.55 mm
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