Infineon IRL8113SPBF
$ 3.39
Obsolete
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 3.39
$ 3.29
Stock
100,642
19,463
Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6 mΩ
6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
110 W
Input Capacitance
2.84 nF
2.84 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRL8113SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRL8113SPBF N-channel MOSFET Transistor, 105 A, 30 V, 3-Pin D2PAK
Single N-Channel 30 V 110 W 23 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Logic Level
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:105A; On Resistance, Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, 30V, 105A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:105A; Resistance, Rds On:0.006ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.25V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:420A; Power Dissipation:110W; Power, Pd:110W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.006ohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.32°C/W; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:2.25V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating105 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.84 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.25 V
Number of Elements1
On-State Resistance6 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation110 W
Rds On Max6 mΩ
Recovery Time27 ns
Resistance6 MΩ
Rise Time38 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm