Infineon IPB055N03LGATMA1
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-11-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB055N03LGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 50A, 30V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:68W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:68W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
With the new OptiMOS 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. | Summary of Features: Ultra low gate and output charge; Lowest on-state resistance in small footprint packages; Easy to design in | Benefits: Increased battery lifetime; Improved EMI behavior making external snubber networks obsolete; Saving costs; Saving space; Reducing power losses | Target Applications: Onboard charger; Notebook; Mainboard; DC-DC; VRD/VRM; Motor control; LED
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance5.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation68 W
Rds On Max5.5 mΩ
Rise Time5.2 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time6.7 ns
Datenblätter und Dokumente
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