onsemi FDB8878

Name: onsemi FDB8878
Brand: onsemi
SKU: FDB8878

30V, 48A, 14 Ohm Nch Logic Level Power Trench Mosfet

Obsolete

Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren

Nicht autorisierte Händler

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	FDB8878	0	1600							2d
Component Stockers USA	FDB8878	17.081			0,160	0,160	0,160	0,150	0,150	14h
Win Source	WS-453044	70.000	95				0,633	0,422	0,422	1d
Worldway Electronics	FDB8878	27.226	7	Tape & Reel		0,143	0,139	0,131	0,131	23h
Run Hong Electronics	FDB8878	2.226			0,009	0,009	0,009	0,009	0,009	11h

CAD-Modelle

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Alternative Teile

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IHS

Datasheet6 SeitenVor 25 Jahren

Lieferkette

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDB8878, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

30V,48A, 14 OHM NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET

Onlinecomponents.com

TRANS MOSFET N-CH 30V 48A 3PIN TO-263AB

Avnet

MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET

Mouser

Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Bilder

Onlinecomponents.com

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-263-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)48 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance14 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time35.3 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.235 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation47.3 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation47.3 W

Rds On Max14 mΩ

Rise Time244 ns

Turn-Off Delay Time14.8 ns

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet6 SeitenVor 25 Jahren

Compliance

Umweltklassifizierung

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Compliance-Erklärungen

Reach Statement8 SeitenVor 11 Jahren

Rohs Statement1 SeiteVor 12 Jahren

Rohs Statement1 SeiteVor 14 Jahren

Reach Statement2 SeitenVor 13 Jahren

onsemi FDB8878

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

IHS

Lieferkette

Verwandte Teile

Beschreibungen

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

Technische Spezifikationen

Datenblätter und Dokumente

IHS

Compliance