Infineon IRFU3910PBF

Single N-Channel 100 V 115 mOhm 29.3 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
$ 0.447
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIRFU3910PBF2.4851
Rochester ElectronicsIRFU3910PBF1.860
15h
DigiKeyIRFU3910PBF-ND2.9691Tube
RS (Formerly Allied Electronics)IRFU3910PBF010Bulk
7h
Farnell
2
IRFU3910PBF1.9081
1d

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

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Alternative Teile

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Alternative Teile
InfineonIRFU3910PBF
InfineonIRFU3910PBF
Price @ 1000
$ 0.447
$ 0.447
Stock
1,170,012
1,170,012
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-251
TO-251
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
16 A
16 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
115 mΩ
115 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
52 W
52 W
Input Capacitance
640 pF
640 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Verwandte Teile

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Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFU3910PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 100 V 115 mOhm 29.3 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
Future Electronics
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A) | MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
Win Source
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
ComSIT Distribution GmbH
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:16A; On Resistance Rds(On):0.115Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 16 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 115 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 25 / Rise Time ns = 27 / Turn-OFF Delay Time ns = 37 / Turn-ON Delay Time ns = 6.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-251 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 79
Distrelec

Bilder

Infineon
RS
DKO Electronshik
TME
LZChips
Future Electronics
Newark
International Rectifier
LCSC
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFU3910
  • IRFU3910PBF.
  • IRFU3910PBF..
  • SP001578380