onsemi NTD12N10-1G
$ 0.351
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | NTD12N10-1G | 75 | 9h | |||||||||
| Microchip USA | NTD12N10-1G | 118 | 3500 | Tray | 3h | |||||||
| Win Source | WS-NTD12N10-1G | 1.220 | 530 | 10h | ||||||||
| Worldway Electronics | NTD12N10-1G | 28.527 | 7 | Tube | 9h | |||||||
| Aztech | NTD12N10-1G | 9.416 | 5h |
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Lieferkette
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFU5410PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.205Ohm;ID -13A;I-Pak (TO-251AA);PD 66W
InfineonIRLU120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;I-Pak (TO-251AA);PD 48W
InfineonIRFU120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;I-Pak (TO-251AA);PD 48W
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD12N10-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 12A 56.6W 32ns
NTD12N10: Power MOSFET 100V 12A 165 mOhm Single N-Channel IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
MOSFETs- Power and Small Signal 100V 12A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:12A; Drain Source Voltage, Vds:100V; On Resistance, Rds(on):165mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3.1V; Power Dissipation, Pd:56.6W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating12 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance165 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation56.6 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation56.6 W
Rds On Max165 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen