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Infineon IRFU5410PBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -100V; Rds(on) 0.205 Ohm; Id -13A; I-pak (TO-251AA); Pd 66W
$ 0.944
Obsolete
Datenblatt
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Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
IRFU5410PBF
178
1
USD
1,480
1,030
0,876
0,686
0,496
Rochester Electronics
2
IRFU5410PBF
516.760
USD
0,662
0,550
0,490
15h
Arrow Electronics
IRFU5410PBF
3.035
1
USD
1,390
1,390
1,390
1,390
1,390
Mouser
942-IRFU5410PBF
3.184
1
Tube
USD
2,270
1,430
1,050
0,944
0,566
RS (Formerly Allied Electronics)
IRFU5410PBF
0
10
Bulk
USD
1,330
1,170
1,170
1,170
5h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFU5410PBF herunter.

element14 APAC

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 27 Jahren

IHS

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-0.85%
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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRFU5410PBF
InfineonIRFU5410PBF
Price @ 1000
$ 0.944
$ 0.944
Stock
1,958,628
1,958,628
Authorized Distributors
5
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-251-3
TO-251-3
Drain to Source Voltage (Vds)
-100 V
-100 V
Continuous Drain Current (ID)
13 A
13 A
Threshold Voltage
-4 V
-4 V
Rds On Max
205 mΩ
205 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
66 W
66 W
Input Capacitance
760 pF
760 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFU5410PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.205Ohm;ID -13A;I-Pak (TO-251AA);PD 66W
RS (Formerly Allied Electronics)
MOSFET P-CH 100V 13A IPAK P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Eurochip Technologies LTD
Single P-Channel 100 V 205 mOhm 58 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
Future Electronics
-100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
ComSIT Distribution GmbH
66W(Tc) 20V 4V@ 250µA 58nC@ 10 V 1individualPChannel 100V 205mΩ@ 7.8A,10V 13A 760pF@25V IPAK，TO-251AA Through hole mounting
UnikeyIC
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-100V; Continuous Drain Current, Id:-13A; On Resistance, Rds(on):205mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:I-PAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Infineon
Augswan
RS
TME
LKR
Future Electronics
Newark
International Rectifier
LCSC
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFU5410
  • IRFU5410PBF..
  • SP001557796